本帖最后由 jxtjndt 于 2015-10-8 08:32 編輯
JB/T47013.3-2015的規(guī)定,管子環(huán)向?qū)咏宇^,外徑≥159-500mm,檢測(cè)方法按附錄K進(jìn)行,file:///C:/DOCUME~1/ly/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg 哪問(wèn)題如下: 1 按K4.1和K4.2條的理解,是不是一定要制做RB-C對(duì)比試塊?因?yàn)榧词褂?/font>CSK-ⅡA制作DAC曲線,也要在RB-C試塊上進(jìn)行修正,哪還不如直接在RB-C試塊上制作DAC曲線,這樣更省事。 2 按照以往經(jīng)驗(yàn),如果采用高頻、小晶片探頭來(lái)進(jìn)行檢測(cè),保證探頭接觸面與工件最大間隙小于0.5mm,,能否能直接采用CSK-ⅡA制作DAC曲線而不用在RB-C試塊上進(jìn)行修正?或者用CSK-ⅡA做好曲線后,直接在管子上進(jìn)行耦合補(bǔ)償就行?(好像沒(méi)有找到可以這樣做的依據(jù)?) file:///c:/documents and settings/ly/application data/360se6/User Data/temp/104606b116yki61sixjxso.jpg |