本帖最后由 M2M中國(guó) 于 2017-2-22 16:15 編輯
管線的鋪設(shè)經(jīng)常要通過(guò)許多潮濕酸性的環(huán)境,而部分石油、天然氣中也含有大量的H2S、SO2等酸性氣體,氫致開(kāi)裂(HIC)是管線鋼在酸性環(huán)境中發(fā)生破壞的一種重要形式。所以HIC一直是管線超聲檢測(cè)的重點(diǎn)。 管線鋼在含有H2S的酸性環(huán)境中表面與酸反應(yīng)生成氫原子,H2S會(huì)延遲氫原子結(jié)合成氫氣,而使得氫原子能夠進(jìn)入到鋼中。鋼中晶界、相界、位錯(cuò)等等是吸附氫原子的陷阱,吸附的氫原子結(jié)合成氫氣之后會(huì)造成局部的氫壓過(guò)高,一旦超過(guò)材料的斷裂強(qiáng)度就會(huì)產(chǎn)生開(kāi)裂現(xiàn)象(HIC)。對(duì)于使用方,關(guān)心的問(wèn)題首先是判斷是否出現(xiàn)氫裂紋,區(qū)分氫裂紋與一般的工件底面腐蝕;第二個(gè)關(guān)心的問(wèn)題是,裂紋與裂紋之間是否發(fā)生串聯(lián),如果裂紋還是獨(dú)立的分布,其危險(xiǎn)系數(shù)還在可控范圍內(nèi),但是裂紋一旦發(fā)生串聯(lián),根據(jù)情況應(yīng)當(dāng)立即采取修復(fù)措施,但是這個(gè)涉及到很多經(jīng)濟(jì)利益。所以準(zhǔn)確地判斷裂紋的存在,以及其間的關(guān)聯(lián)是解決氫裂紋檢測(cè)的重點(diǎn)與難點(diǎn)。 相控陣檢測(cè)的圖像直觀,可以通過(guò)B掃圖像直接觀察探頭下方截面的內(nèi)部特征,在腐蝕檢測(cè)檢測(cè)中顯示出了其優(yōu)勢(shì)。但是一般的線性掃查居于脈沖回波技術(shù),指向性強(qiáng),只能檢測(cè)出平行或者傾斜度不大的反射面。且受制于探頭晶片尺寸與晶片數(shù)量,其分辨率不高。 M2M在其便攜式相控陣儀器GEKKO上推出的全聚焦技術(shù)TFM,有效地解決了上述難題。首先TFM技術(shù)的發(fā)射與接收機(jī)制有關(guān),TFM的信號(hào)是由單個(gè)晶片進(jìn)行發(fā)射,因?yàn)榘l(fā)射面積相對(duì)波長(zhǎng)較小,擴(kuò)散角較大,能檢測(cè)到斜率較大的表面;其次接收部分是每個(gè)晶片都同時(shí)接收,能夠收到來(lái)自各方向的回波。故TFM技術(shù)可以看作脈沖回波與串列掃查的結(jié)合。所以對(duì)非平行與表面的反射體能很好成像。最后TFM技術(shù)的算法使得聲能在整個(gè)成像范圍內(nèi)逐點(diǎn)聚焦,提高了整個(gè)檢測(cè)范圍的分辯能力,對(duì)細(xì)微缺陷的檢出能力大大提高。這些優(yōu)勢(shì)使得TFM在HIC檢測(cè)問(wèn)題中有效解決了當(dāng)今關(guān)心的技術(shù)難題。 電子掃查與TFM對(duì)比 氫致裂紋電子掃查成像圖
氫致裂紋TFM技術(shù)成像圖 ![]() 氫致裂紋電子掃查成像圖 ![]()
氫致裂紋TFM技術(shù)成像圖
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氫致裂紋電子掃查成像圖
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氫致裂紋TFM技術(shù)成像圖
氫致裂紋HIC檢測(cè)要點(diǎn): 1.區(qū)分底面腐蝕波與裂紋波
2.不連續(xù)分布的獨(dú)立HIC裂紋之間是否已經(jīng)達(dá)到相連的程度,如果裂紋之間沒(méi)有串聯(lián)起來(lái),危險(xiǎn)系數(shù)相對(duì)較低;然后如果裂紋已經(jīng)貫通,那么危險(xiǎn)系數(shù)大大增加,需要考慮補(bǔ)救。
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傳統(tǒng)管線HIC檢測(cè)多采用電子掃查(ES)的方法,相對(duì)于ES,TFM具有更強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì):
l盲區(qū)更小,≤0.5mm
l成像更直觀,方便HIC定性和定量
l還原輪廓微弱信號(hào),方便發(fā)現(xiàn)不同HIC之間的聯(lián)系
l分辨力更高,實(shí)時(shí)追溯HIC產(chǎn)生和生長(zhǎng)情況、
l還原不規(guī)則底波腐蝕情況,直觀區(qū)分HIC和底波信號(hào)
l配合專用掃查器,更加方便地采集和記錄數(shù)據(jù)
l配合CIVAanalysis,實(shí)現(xiàn)更為強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析功能
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