RB-C試塊疑問

JB/T47013.3-2015的規(guī)定，管子環(huán)向?qū)咏宇^，外徑≥159-500mm,檢測方法按附錄K進(jìn)行，file:///C:/DOCUME~1/ly/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg

哪問題如下：

1 按K4.1和K4.2條的理解，是不是一定要制做RB-C對比試塊？因為即使用CSK-ⅡA制作DAC曲線，也要在RB-C試塊上進(jìn)行修正，哪還不如直接在RB-C試塊上制作DAC曲線，這樣更省事。

2 按照以往經(jīng)驗，如果采用高頻、小晶片探頭來進(jìn)行檢測，保證探頭接觸面與工件最大間隙小于0.5mm,,能否能直接采用CSK-ⅡA制作DAC曲線而不用在RB-C試塊上進(jìn)行修正？或者用CSK-ⅡA做好曲線后，直接在管子上進(jìn)行耦合補(bǔ)償就行？（好像沒有找到可以這樣做的依據(jù)？）

有人解答嗎

不修正就不符合47013，工藝就錯了，你就是做的再好，也不符合要求

新標(biāo)準(zhǔn)不明白的太多。哎

“同樣工件”，打字錯誤。不同“兩樣工件”

標(biāo)準(zhǔn)是為試塊廠家制訂的，說好可以用這個試塊，但靈敏度要與某試塊一致，那必須進(jìn)行補(bǔ)償。如何補(bǔ)償？難度很大，試塊形式不一樣，參考反射體不一樣，反射體位置有些在近場區(qū)，有些在遠(yuǎn)場區(qū)，不能光用公式計算來確定靈敏度差異。還不如一步到位，買新試塊算了。那不就是試塊廠家的生意來了嗎？以前用于兩樣工件檢測的試塊，現(xiàn)在也變了。