[請教] .

只看該作者 · 2015-10-1 16:10:41

本帖最后由天空于 2018-11-4 19:58 編輯

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cyf7878 · 2016-6-30 23:58:23

天空發表于 2015-10-2 04:52
我覺得b≧2λs/D 后者應該是聲束的寬度這個公式主要是保證了試塊中的通孔長度大于聲束的寬度保證參考 ...

我和你的理解是一樣的

天空 · 2015-10-16 08:27:20

丁老師您好，這兩個問題我是這么看待的，您看是否正確。
第一個問題：
確實是采用間隙推導而出，但是不是應該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護膜等情形？
我認為這個問題的前提應該是：在采用相同耦合劑，相同晶片保護膜等一系列相同的參數條件下，平板對接時探頭接收的回波聲壓分貝數比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時探頭接收的回波聲壓數高出了至少3分貝，此時應該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
第二個問題：
引自EN 583規范，這是具備長橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴散角還有20分貝擴散角....，到底應該用哪個角度？為何？
我認為這里的擴散角并不是從6dB、20dB考慮的，特種設備第二版將擴散角分為兩種，您問題中提到的是與聲壓幅值有關的擴散角。
而根據公式2λs/D逆向推導，這個公式推導出來的擴散角是“第一零值發散角”

天空 · 2015-10-16 08:27:16

丁老師您好，這兩個問題我是這么看待的，您看是否正確。
第一個問題：
確實是采用間隙推導而出，但是不是應該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護膜等情形？
我認為這個問題的前提應該是：在采用相同耦合劑，相同晶片保護膜等一系列相同的參數條件下，平板對接時探頭接收的回波聲壓分貝數比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時探頭接收的回波聲壓數高出了至少3分貝，此時應該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
第二個問題：
引自EN 583規范，這是具備長橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴散角還有20分貝擴散角....，到底應該用哪個角度？為何？
我認為這里的擴散角并不是從6dB、20dB考慮的，特種設備第二版將擴散角分為兩種，您問題中提到的是與聲壓幅值有關的擴散角。
而根據公式2λs/D逆向推導，這個公式推導出來的擴散角是“第一零值發散角”