減少曝光時(shí)間，可以減小散射線的影響么？

經(jīng)常在文章資料中，看到這么一句話“減少曝光時(shí)間，可以減小散射線的影響”。這句話正確么？

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這句話應(yīng)加一個(gè)前提，在不采用其他屏蔽散射線的方法時(shí)，單從散射線方面考慮減少曝光時(shí)間，可以減小散射線的影響，如果有有效的散射線屏蔽措施，減小曝光時(shí)間對散射線幾乎無影響

我想是不對的！

{:soso_e179:}

焊縫部位的散射比會(huì)減小（為什么？想一想！）
------1. 原因：連續(xù)X射線如管電流不變，管電壓增加，則電子數(shù)量不變，而電子能量增加，相對地，生成的射線能量也增大。其中短波成份變多，從而引起射線的線質(zhì)變化，相當(dāng)于線質(zhì)變硬了。
------2. 其實(shí)焊縫部分的散射x強(qiáng)度并非是真正在減少，而是相對于母材部分的強(qiáng)度差減少。

不知我的理解對否？

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我的認(rèn)識：在很多情況下，減少曝光時(shí)間，確實(shí)可以減小散射線的影響！但這個(gè)說法不完全，得有一個(gè)關(guān)聯(lián)條件——管電壓提高。完整的說法是：在某些情況下，提高管電壓同時(shí)減少曝光時(shí)間，可以減少散射線的影響。注意這里又有一個(gè)限制條件“某些情況下”，即不是所有情況下都對。或者說不是所有情況都能呈現(xiàn)明顯效果。
如果只減小曝光量，其他什么都不變，則散射比不變，散射線的影響也就不會(huì)變。但是如果管電壓改變了，散射比會(huì)有變化，那么，散射線的影響也就變了。
舉一個(gè)實(shí)際發(fā)生過的，比較極端的例子：透照48mm厚工件，采用兩種管電壓和曝光量，分別為195KV，150mA-min，和295kV，30mA-min，底片黑度都達(dá)到2.5，但靈敏度差異很大，前者一根鋼絲也看不見，而后者是可以看到幾根鋼絲的。為什么？因?yàn)榍罢呔€質(zhì)太軟，能穿透工件的一次透射線太少，散射比很大，全靠散射線把底片弄黑。而后者線質(zhì)較硬，一次透射線較多，散射比相對較小。這說明曝光時(shí)間減少，管電壓提高，散射線的影響也就少了。
改變管電壓可以改變散射比的另一個(gè)明顯例子是對有透照厚度差的工件照相，例如對有余高的焊縫。
在給定的管電壓下，焊縫部位的散射比和母材部位的散射比是不一樣的。如果給定的管電壓較低，則焊縫部位的散射比將明顯大于母材部位的散射比，這時(shí)把管電壓提高，焊縫部位的散射比會(huì)減小（為什么？想一想！），跟母材部位的散射比趨于一致。由此帶來的結(jié)果是：管電壓提高，曝光時(shí)間減少，散射比減少，散射線影響減少。

我認(rèn)為是正確的