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          標題: . [打印本頁]

          作者: 天空    時間: 2015-10-1 16:10
          標題: .
          本帖最后由 天空 于 2018-11-4 19:58 編輯

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          作者: 天空    時間: 2015-10-1 16:13
          本帖最后由 天空 于 2018-11-4 19:58 編輯

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          作者: 那一刻    時間: 2015-10-1 21:04
          本帖最后由 那一刻 于 2017-2-18 12:15 編輯
          抱歉,已刪除!

          作者: 天空    時間: 2015-10-2 04:52
          那一刻 發表于 2015-10-1 21:04
          這個兩個“公式”是權力機構隨機硬性規定的一個界限,不是推導出來的,就好比三八線一樣。
          這樣規定是為 ...

          我覺得b≧2λs/D 后者應該是聲束的寬度 這個公式主要是保證了 試塊中的通孔長度大于聲束的寬度 保證參考反射體都是長橫孔
          作者: 大陸    時間: 2015-10-2 15:26
          第一個公式以前姚志忠老師講過,主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
          第二個化式是晶片邊緣與工件間間隙小于0.5mm時聲壓與平板聲壓比下降值可以忽略不計,大約小于3dB.按此推導出的公式即是上面的公式
          作者: 天空    時間: 2015-10-2 15:33
          大陸 發表于 2015-10-2 15:26
          第一個公式以前姚志忠老師講過,主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
          第二個化式是晶片邊緣與工 ...

          您好,“晶片邊緣與工件間間隙小于0.5mm時聲壓與平板聲壓比下降值可以忽略不計,大約小于3dB”我覺得很有道理,請問這句話出自哪里?非常感謝您的回復!
          作者: 那一刻    時間: 2015-10-2 22:34
          本帖最后由 那一刻 于 2017-2-18 12:15 編輯
          抱歉,已刪除!

          作者: 天空    時間: 2015-10-3 05:54
          那一刻 發表于 2015-10-2 22:34
          昨天就算過了,在b=2λs/D的時候,試塊中的通孔長度小于聲束的寬度;
          我猜管理層的意思是:不能短,差不 ...


          b是試塊的寬度也就是橫通孔的長度,2λs/D是聲束的水平寬度
          b≧2λs/D  說明橫通孔長度大于聲束的水平寬度 不是小于
          作者: 天空    時間: 2015-10-3 13:29
          天空 發表于 2015-10-3 05:54
          b是試塊的寬度也就是橫通孔的長度,2λs/D是聲束的水平寬度
          b≧2λs/D  說明橫通孔長度大于聲束的水平寬 ...

          老師已經解答了這個問題 ,以下部分為老師回復:
          謝謝提問!
          公式R≤W的平方/4是推導出來的,考慮楔塊邊緣與工件間最大間隙不大于0.5mm。

          b≧2λs/D 中的2λs/D是代表的聲束的水平寬度。

          新的CSK-IIA試塊的寬度在設計時盡可能滿足 b≧2λs/D  。

          新標準 是想將長橫孔統一作為試塊中的參考反射體。

          作者: wuyongshou    時間: 2015-10-6 19:21
          根據UT教材P61頁用相似三角形計算出來的
          作者: wuyongshou    時間: 2015-10-6 19:28
          哪有什么三八線的說法!都有理論依據的
          作者: 天空    時間: 2015-10-6 19:32
          wuyongshou 發表于 2015-10-6 19:21
          根據UT教材P61頁用相似三角形計算出來的

          斜探頭水平聲束的求法 我并不贊同你套用直探頭聲場列式
          作者: 天空    時間: 2015-10-6 19:46
          wuyongshou 發表于 2015-10-6 19:21
          根據UT教材P61頁用相似三角形計算出來的

          特種設備的教材將直探頭聲場的 未擴散區 列式為1.64N 實際直探頭聲場的未擴散區是 1N 左右,還有限制條件“對于反射體的直徑必須大于壓電晶片面積的百分之六十”
          實際這個公式的推導  至少我的方法比較復雜 所以這里不在列舉
          作者: yanyingjuanli    時間: 2015-10-7 19:35
          大陸 發表于 2015-10-2 15:26
          第一個公式以前姚志忠老師講過,主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
          第二個化式是晶片邊緣與工 ...

          樓主確定是小于0.5mm?

          作者: 天空    時間: 2015-10-7 20:34
          yanyingjuanli 發表于 2015-10-7 19:35
          樓主確定是小于0.5mm?

          是的
          作者: yanyingjuanli    時間: 2015-10-7 23:13
          天空 發表于 2015-10-7 20:34
          是的

          樓主厲害

          作者: 丁偉臣    時間: 2015-10-14 21:33
          天空 發表于 2015-10-1 16:13
          首先是曲率半徑R≤W(平方)/4 怎么推導出來的
          然后試塊寬度為什么要b≧2λs/D 意義是什么? ...

          問題一:確實是采用間隙推導而出,但是不是應該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護膜等情形?
          問題二:引自EN 583規范,這是具備長橫孔反射特性的條件,但是大家知道我們有6分貝擴散角還有20分貝擴散角....,到底應該用哪個角度?為何?

          作者: 天空    時間: 2015-10-16 08:27
          丁老師您好,這兩個問題我是這么看待的,您看是否正確。
          第一個問題:
          確實是采用間隙推導而出,但是不是應該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護膜等情形?
          我認為這個問題的前提應該是:在采用相同耦合劑,相同晶片保護膜等一系列相同的參數條件下,平板對接時探頭接收的回波聲壓分貝數比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時探頭接收的回波聲壓數高出了至少3分貝,此時應該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
          第二個問題:
          引自EN 583規范,這是具備長橫孔反射特性的條件,但是大家知道我們有6分貝擴散角還有20分貝擴散角....,到底應該用哪個角度?為何?
          我認為這里的擴散角并不是從6dB、20dB考慮的,特種設備第二版將擴散角分為兩種,您問題中提到的是與聲壓幅值有關的擴散角。
          而根據公式2λs/D逆向推導,這個公式推導出來的擴散角是“第一零值發散角”

          作者: 天空    時間: 2015-10-16 08:27
          丁老師您好,這兩個問題我是這么看待的,您看是否正確。
          第一個問題:
          確實是采用間隙推導而出,但是不是應該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護膜等情形?
          我認為這個問題的前提應該是:在采用相同耦合劑,相同晶片保護膜等一系列相同的參數條件下,平板對接時探頭接收的回波聲壓分貝數比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時探頭接收的回波聲壓數高出了至少3分貝,此時應該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
          第二個問題:
          引自EN 583規范,這是具備長橫孔反射特性的條件,但是大家知道我們有6分貝擴散角還有20分貝擴散角....,到底應該用哪個角度?為何?
          我認為這里的擴散角并不是從6dB、20dB考慮的,特種設備第二版將擴散角分為兩種,您問題中提到的是與聲壓幅值有關的擴散角。
          而根據公式2λs/D逆向推導,這個公式推導出來的擴散角是“第一零值發散角”

          作者: cyf7878    時間: 2016-6-30 23:58
          天空 發表于 2015-10-2 04:52
          我覺得b≧2λs/D 后者應該是聲束的寬度 這個公式主要是保證了 試塊中的通孔長度大于聲束的寬度 保證參考 ...

          我和你的理解是一樣的





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